Zdravím, jaký je správný postup pro určení "dead time" tranzistorům?
- čili, mám IGBT v můstku, při frekvenci 35khz s parametry viz http://utaes.wz.cz/!/igbt.PNG
- jaký je tedy ideální zvolit čas? Případně stačí jenom nějak odhadnout z průběhu? Někde jsem se dočetl, že někdo ho volí takový, než se začnou projevovat tepelné ztráty tranzistorů, ale nechci riskovat, zase vzhledem k povaze zařízení nepotřebuji moc velký, aby pak byly tranzistzory více pulzně namáhané...
Díkys
Přesunout vlákno do jiné kategorie
Chystáte se přesunout vlákno z kategorie Hlavní diskuze do zvolené kategorie.28.02.2013 (21:50:03)
Utaes 
:
: 28.02.2013 (21:52:02)
aybac:
Na 35 kHz (půlperioda 14,3 us) ho klidně dej 1 us. Bude to s rezervou, a z výkonu ti to skoro nic neužere.
28.02.2013 (21:55:15)
Utaes :
: OK, díky
28.02.2013 (22:59:04)
RayeR :
: Tydle IGBT sou na 35kHz velmi svizny, tam by postacilo s klidem tak 250-300ns DT, zbytecne se nema DT prodluzovat...
28.02.2013 (23:05:40)
aybac:
Já bych to spíš neriskoval, tady to je fakt rozdíl pár procent, a bude to s jistotou... Kdoví kde se tam jinak objeví další zpoždění atd. Kor jesi to není rezonanční spínání (ZCS) tak to je pak prakticky bez rozdílu.
1.03.2013 (00:03:20)
RayeR :
: Melo by teoreticky stacit (tdoff+tf)-(ton+tr), ale je potreba este uvazovat budici schopnosti gatedriveru. Nejlepsi je si to pred zapnutim do zasuvky odmerit pri nakem mensim napeti :)
1.03.2013 (08:56:50)
Utaes :
: OK, tak zkusím nějaký kompromis - respektive, to vyzkouším na menší napětí a s omezením proudu
Zde lze přesunout vlákno do jiné kategorie. Tuto operaci může udělat pouze admin.