Ahoj,
chtěl bych se zeptat, když mám např. IGBT modul a v datasheetu definovaný Rthjc "per IGBT" například 0,27K/W ... tak když počítám v modulu s prací 6 kusů IGBT (sixpack), tak pro celkový modul toto číslo mohu vydělit 6 (v ideálním případě)? ... tedy 0,27/6=0,045K/W?? Nebo tam je nějaký koeficient ?
To samé provedu i v případě odporu zpětných diod?
To samé mohu provést pro RthCH (case to heatsink), když je také definován "per IGBT"?
díky za objasnění
Smazat příspěvek
Chystáte se smazat zprávu (se všemi případnými odpověďmi) z kategorie Hlavní diskuze:12.11.2019 (14:01:15)
Tim:
12.11.2019 (15:44:58)
VroutekB:
A proč bys to dělil? Rth máš definovaný pro jedno IGBT, výkonovou ztrátu taky počítáš pro jedno IGBT, nebo pro jeden pár.
Dioda bude mít velmi pravděpodobně Rth větší, neb je to typicky samostatný a (plochou) menší čip.
Dioda bude mít velmi pravděpodobně Rth větší, neb je to typicky samostatný a (plochou) menší čip.
12.11.2019 (15:46:20)
VroutekB:
Mimochodem, pokud je to nějaké moderní IGBT, tak k němu výrobce dost pravděpodobně bude mít i nějaký kus simulačního SW, kterej ti zjistí poměrně přesně jaký oteplení kde bude.
(Když má takovýhle udělátory STčko, budou to mít i jiní).
(Když má takovýhle udělátory STčko, budou to mít i jiní).
12.11.2019 (17:15:24)
Tim:
OK, zpřesním to. Mám v simulačním SW vytvořený model (implementována dynamická charka) a výstupem tohoto modelu je vypočtený ztrátový výkon celého modulu..a tento celkový ztrátový výkon si chci vyjádřit jako teplotu - respektive oteplení chladiče při známém ambientu. Proto doplňuji tepelné odpory a teď nastává otázka, jestli si to pro celkový model tepelných ztrát mohu dovolit vydělit počtem spínaných tranzistorů (IGBT blok je zatěžován rovnoměrně, všechny větve stejně)...
12.11.2019 (17:17:24)
VroutekB:
Tak když víš celkovej ztrátovej výkon, tak to asi podělit musíš, ale vyjde ti sračka, protože IGBT a diody budou mít poměrně dost odlišný Rth i vlastní výkonový ztráty.
Oteplení diod a tranzistorů nebude stejný.
Oteplení diod a tranzistorů nebude stejný.
12.11.2019 (17:30:33)
Tim:
Nn, ztrátový výkon IGBT a diod je vyveden z modelu zvlášť... tedy, jsou vyvedeny ztráty spínací IGBT, ztráty vodivostní IGBT, ztráty spínací diod a ztráty vodivostní diod... akorát vždy v součtu
12.11.2019 (21:40:29)
VroutekB:
No vidíš. Tak buď ztráty děl šesti, nebo Rth děl šesti. 
13.11.2019 (08:11:34)
Dr. Doktor:
Jo, bývá to na 1 tranzistor (i ten odpor case-heatsink, pokud je to per IGBT).
13.11.2019 (21:11:04)
Tim:
Ale očekávám, že v reálném světě bych tam měl zanést jistou konstantu... například, když kouknu do datasheetu dvojdiody, tak ta má třeba pro jednu diodu odpor 0,73 a pro celek má odpor 0,4... takže analogii bych čekal i u tranzistorů.... takže tam nechám rezervu 10-20% pro jistotu a bude to snad v cajku... Každoipádně díky moc za objasnění...
13.11.2019 (23:05:11)
Dr. Doktor:
U takové výkonové věci to snad bude myšleno tak, aby to při intuitivním použití specifikovaných hodnot a při běžné aplikaci sedělo. Rezervu bych tam ale i tak určitě nechal, protože vždycky se projevuje spoustu dalších jevů (např. nerovnost chladiče, konečná tepelná vodivost základny, zanášení chladiče prachem, rozdíl mezi teoretickými a reálnými ztrátami, hlavně u přepínacích, atd) a poslední co chceš je aby se ti velkej kus křemíku přehříval.
Zde můžete smazat vlastní vlákno nebo kteroukoliv odpověď v něm. Můžete smazat vlastní odpověď v cizím vlákně, pokud na ni ještě nikdo jiný nereagoval. Mazat cizí vlákna a odpovědi v nich mohou pouze admini. Smazání příspěvku je nevratná operace! Smazáním vzkazu se smažou i odpovědi na něj.