Ale vyplatí se to, jako řemen. Se SiC budou přepínací ztráty hovno nic, ztráty Qrr diodama nějaký budou určitě (bez deadtajmu to nejde) a vodivostní ztráty taky relativně malý (proti IGBT třeba). Takej SiC můžeš mít okolo 50-100mR votpor odhaduju. Vysokonapěťovej IGBT by měl velkej úbytek, nebo by byl línej tak, že by ti ztráty doháněl (nejen) odpor obří tlumivky vedle.
Tolik asi můj odhad