Smazat příspěvek

 Chystáte se smazat odpověď z kategorie Hlavní diskuze:


2.12.2018 (01:55:08)
Tim:
Ahoj, přidám se do diskuze...
Zajímalo by mě, jak to pocitas. Sám jsem teď počítal nějaké buzení IGBT moduly a vejdu se urcite do cca 1W (0,5W) na každý tranzistor s prehledem a to je ani nezpomaluju od datasheetu...

Co ale doporučuju, jak píše Vroutek, du/dt je fakt svine. Já bych to dělal oddělenými zdrojema už jen kvůli vazební kapacitě. Když spinas tranzistory se strmosti nekolika kV/us, tak už vazební kapacita několik desítek piko farad nadela divy...a ten ovlivnujici proud mezi jednotlivými "sekundáry" toho tvýho společnýho trafa na buzení bude dělat problémy... Nehledě bacha na tu izolaci mezi vinutima pro tuto strmost, nešetří na kvalitní pásce odolné plazivým proudům...


Přezdívka:*
Heslo:*

███   ███   ███   
  █     █   █ █   
███    █    ███   
█      █    █ █   
███    █    ███   
Opiš:*

Zde můžete smazat vlastní vlákno nebo kteroukoliv odpověď v něm. Můžete smazat vlastní odpověď v cizím vlákně, pokud na ni ještě nikdo jiný nereagoval. Mazat cizí vlákna a odpovědi v nich mohou pouze admini. Smazání příspěvku je nevratná operace! Smazáním vzkazu se smažou i odpovědi na něj.
Seznam uživatelů
Zpět na knihu