English version

Umělá zátěž pro napájecí zdroje - elektronický odpor

     Pokud testujete různé napájecí zdroje (impulzní i klasické), jistě se vám bude hodit zátež, jejíž odběr je možné plynule regulovat. Můžete s ní přesně zjistit, při jakém proudu začne růst zvlnění, klesat výstupní napětí či vypne elektronická pojistka.
     Moje umělá zátěž je velmi jednoduchá. Jako disipátor (součástka, která přemění odebíranou energii na teplo) zde slouží tranzistor MOSFET-N. Odebíraný proud se reguluje změnou napětí na gejtu pomocí potenciometru. Aby nastavený odpor nebyl závislý na vstupním napětí, je napětí před potenciometrem stabilizováno Zenerovou diodou. Aby bylo možné testovat i zdroje s malým výstupním napětím, je vhodné používat tzv. logic-MOSFET neboli MOSFET ovladatelný logickou úrovní. Ten má nižší prahové napětí gejtu a umožní testovat zdroje s napětím od 4V. Pro logic-MOSFET je vhodná ZD 5V, pro klasický MOSFET cca 9V. MOSFET musí být na velkém chladiči. Krátkodobě je možné MOSFET přetížit, u pouzdra TO220 výkonem až 100W. Trvale je možné pracovat se ztrátou do cca 50W, pokud je chladič dostatečný. Moje elektronická zátež funguje v rozmezí vstupního napětí 4 - 25V. Logické MOSFETy jsou obvykle na max. napětí D-S 30V. S použitím vhodného MOSFETu lze umělou zátěž postavit i pro vyšší napětí. V tom případě zvyšte ochranný odpor.

Schéma umělé zátěže
Schéma umělé zátěže


Obrazec desky DPS a osazovací plánek, který podle mého schématu vytvořil Temsi (tímto mu děkuji). Zde jsou soubory pro stažení: obrazec desky pro tisk v PDF a osazovací plánek v Eaglu.

umělá zátěž - primitivní konstrukce
Primitivní konstrukce bez dps :)

umělá zátěž





zpět na hlavní stránku