R12 je normální metal oxid. Bez něj to šlapalo taky, ale hrany se zrychlily jen asi o 15 ns, což mi už nepřipadlo důležitý. Navíc se vyskytly trochu překmity, tak jsem to tím R12 lehce zatlumil. Bez zátěže je průběh Ugs hezčí.
SiC FET jsem vybral hlavně kvůli vysokýmu Udsmax a rychlosti. I když ho třeba nebudím ideálně, tak je skoro studenej a hlavně to funguje. Nevyužívám ho zdaleka do jeho krajních mezí.
Machry se SiC FETem fakt nedělám

Ty děláš machry s nějakou součástkou? V dané konstrukci mi přišel jako ideální volba.